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NTD4909N
TYPICAL CHARACTERISTICS
2000
15.0
1500
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
13.5
12.0
10.5
T J = 25 ° C
QT
9.0
1000
500
0
0
5
10
C oss
C rss
15
20
25
30
7.5
6.0
4.5
3.0
1.5
0
0
Qgs
2
Qgd
4
6
8
10
12
V DD = 15 V
V GS = 10 V
I D = 30 A
14 16 18
20
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
30
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 10 V
t d(off)
25
20
V GS = 0 V
t f
t r
15
T J = 125 ° C
10
t d(on)
10
5
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
T J = 25 ° C
0.8
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
30
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 24 A
25
100
10 m s
20
10
100 m s
15
1
V GS = 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
1 ms
10 ms
dc
10
5
0.1
Package Limit
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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